Έμβλημα Πολυτεχνείου Κρήτης
Το Πολυτεχνείο Κρήτης στο Facebook  Το Πολυτεχνείο Κρήτης στο Instagram  Το Πολυτεχνείο Κρήτης στο Twitter  Το Πολυτεχνείο Κρήτης στο YouTube   Το Πολυτεχνείο Κρήτης στο Linkedin

Νέα / Ανακοινώσεις / Συζητήσεις

Ανακοίνωση παρουσίασης διπλωματικής εργασίας Γυρούκη Γ. - ΗΜΜΥ

  • Συντάχθηκε 07-09-2012 11:30 από Galateia Malandraki Πληροφορίες σύνταξης

    Email συντάκτη: gmalandraki<στο>tuc.gr

    Ενημερώθηκε: -

    Ιδιότητα: υπάλληλος ΑΡΜΗΧ.

    ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ
    Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών

    ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ

    ΓΥΡΟΥΚΗ ΓΕΩΡΓΙΟΥ

    με θέμα

    “ Study of Analog and High Frequency Behavior of Multi-Gate MOSFETs”

    Παρασκευή 7 Σεπτεμβρίου 2012, 13.00μμ
    Αίθουσα 2041, Κτίριο Επιστημών, Πολυτεχνειούπολη

    Εξεταστική Επιτροπή

    Matthias Bucher, Επ. Καθηγητής (επιβλέπων)
    Κωνσταντίνος Μπάλας, Αν. Καθηγητής
    Απόστολος Δόλλας, Καθηγητής


    Περίληψη

    Η μοντελοποίηση του MOSFET και του FinFET είναι ένα μείζον θέμα που απασχολεί τόσο την επιστημονική κοινότητα, όσο και την βιομηχανία. Παρόλες τις προσπάθειες που έχουν γίνει δεν καθίσταται δυνατό να μοντελοποιήσουμε πλήρως την συμπεριφορά ενός MOSFET και ακόμα περισσότερο ενός FinFET που αναπτύχτηκε σαν δομή πολύ πρόσφατα.
    Στόχος τις μοντελοποίησης είναι η όσο το δυνατόν πληρέστερη και ορθότερη περιγραφή της συμπεριφοράς του εκάστοτε transistor, δηλαδή η περιγραφή όλων των φαινομένων που εμφανίζονται, όταν εφαρμοστεί τάση στους ακροδέκτες του. Τα μοντέλα χρησιμοποιούνται σε διαφόρους προσομοιωτές και μπορούν να δώσουν στον σχεδιαστή την βέλτιστη κατά το δυνατόν δομή και λειτουργία ενός κυκλώματος .
    Στην παρούσα διπλωματική εργασία, παρουσιάζεται η μελέτη και μοντελοποίηση μιας συγκεκριμένης κατηγορίας Multi Gate MOSFET. Συγκεκριμένα, μελετάται η συμπεριφορά του Double Gate MOSFET, το οποίο ουσιαστικά είναι μια δομή FinFET με αριθμό πυλών ίσο με δυο. Παρουσιάζονται αρχικά το MOSFET και το FinFET ως διατάξεις. Η μελέτη αυτή περιλαμβάνει την παρουσίαση του Double Gate MOSFET ως διάταξη, την κατηγοριοποίηση του σε ιδανική και μη ιδανική καθώς και σε συμμετρική και μη συμμετρική δομή. Στην συνέχεια, αναπτύσσεται το μαθηματικό μοντέλο που περιγράφει το ρεύμα που αναπτύσσεται στο κανάλι του Double Gate MOSFET. Ακολούθως γίνεται περιγραφή του verilogA κώδικα που προσομοιώνει την λειτουργία ενός συμμετρικού και ιδανικού Double Gate MOSFET. Τέλος παρατίθενται τα πειραματικά και θεωρητικά γραφήματα που προέκυψαν για το ρεύμα και της διαχωρητικότητες και γίνεται σύγκριση και εκτενής σχολιασμός τους.


    Συνημμένα:

© Πολυτεχνείο Κρήτης 2012