Έμβλημα Πολυτεχνείου Κρήτης
Το Πολυτεχνείο Κρήτης στο Facebook  Το Πολυτεχνείο Κρήτης στο Instagram  Το Πολυτεχνείο Κρήτης στο Twitter  Το Πολυτεχνείο Κρήτης στο YouTube   Το Πολυτεχνείο Κρήτης στο Linkedin

Νέα / Ανακοινώσεις / Συζητήσεις

παρουσιαση διπλωματικης εργασιας Κυριακοπουλου Ιωαννη

  • Συντάχθηκε 16-07-2012 12:23 από Garantonaki Argyro Πληροφορίες σύνταξης

    Email συντάκτη:

    Ενημερώθηκε: -

    Ιδιότητα: -.

    ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ
    Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών

    ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ

    KΥΡΙΑΚΟΠΟΥΛΟΣ ΙΩΑΝΝΗΣ

    με θέμα

    “Σχεδίαση ενισχυτών RF σε 0.25um CMOS τεχνολογία”
    “Design of RF Amplifiers in 0.25um CMOS technology”


    [Τετάρτη 18 Ιουλίου 2012, 2μμ]
    [Αίθουσα 137Π39, Κτίριο Επιστημών, Πολυτεχνειούπολη]

    Εξεταστική Επιτροπή

    [Επ.Καθ. Ματτίας Μπούχερ] (επιβλέπων)
    [Καθ. Κωνσταντίνος Καλαϊτζάκης]
    [Αν.Καθ. Κωνσταντίνος Μπάλας]


    Περίληψη

    Η εργασία αυτή παρουσιάζει μια λεπτομερής αναφορά στις συνθήκες που πρέπει να λαμβάνει υπ’όψην του ο σχεδιαστής κατά τη δημιουργία ενός κυκλώματος ενισχυτή χαμηλού θορύβου (LNA). Θα παρουσιαστούν οι διάφορες παράμετροι που πρέπει να ακολουθούνται ώστε να επιτύχουμε το επιθυμητό αποτέλεσμα, δηλαδή τη απρόσκοπτη ενίσχυση του σήματος στον δέκτη με όσο το δυνατόν μικρότερη απώλεια πληροφορίας. Στη συνέχεια θα αναληθεί η συμπεριφορά ενός ενισχυτή χαμηλού θορύβου τύπου common gate (κοινής πύλης) σε διάφορες περιοχές λειτουργίας και για διάφορες τιμές ρεύματος Ιd. Έτσι θα καταλήξουμε στο κύκλωμα του ενισχυτή με τις βέλτιστες παραμέτρους και την βέλτιστη περιοχή λειτουργίας που είναι και ο κύριος σκοπός της διπλωματικής

    Συνημμένα:

© Πολυτεχνείο Κρήτης 2012