• Όλες οι κατηγορίες
• Ενδοπολυτεχνικές Ανακοινώσεις και Συζητήσεις
• Ακαδημαϊκές Ανακοινώσεις
• ανακοίνωση παρουσίασης διπλωματικής εργασίας Σπανού Α. - ΗΜΜΥ

ανακοίνωση παρουσίασης διπλωματικής εργασίας Σπανού Α. - ΗΜΜΥ

• 1

• Συντάχθηκε 12-06-2012 10:04 από Galateia Malandraki

  Email συντάκτη: gmalandraki<στο>tuc.gr

  Ενημερώθηκε: -

  Ιδιότητα: υπάλληλος ΑΡΜΗΧ.
  
  ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ
  Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών
  
  ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ
  
  Σπανός Απόστολος
  
  με θέμα
  
  MEΛΕΤΗ ΘΟΡΥΒΟΥ MOS TΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΕ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ
  
  Πέμπτη 14 Ιουνίου, 13.00 μμ
  Αίθουσα 2041, Κτίριο Επιστημών, Πολυτεχνειούπολη
  
  Εξεταστική Επιτροπή
  
  Επ. Καθ. Matthias Bucher ( Επιβλέπων )
  Καθ. Κωνσταντίνος Καλαϊτζάκης
  Καθ. Κωνσταντίνος Μπάλας
  
  
  
  Περίληψη
  
  Ο θόρυβος είναι ένας σημαντικός παράγοντας που περιορίζει την απόδοση των ηλεκτρικών κυκλωμάτων και συστημάτων, και ιδιαίτερα συστημάτων με χαμηλή κατανάλωση. Η έλλειψη κατανόησης του θορύβου των MOSFET αποτελεί ένα σημαντικό εμπόδιο στην υλοποίηση αναλογικών και RF κυκλωμάτων όπως CMOS πομποδεκτών, ενισχυτών, συστημάτων μετατροπής A/D κοκ. Εξαιτίας του υψηλού κόστους κατασκευής ενός συστήματος, η σωστή πρόβλεψή του σε ολοκληρωμένα αναλογικά κυκλώματα και συστήματα, μέσω προσομοίωσης κυκλωμάτων βασισμένη σε συμπαγή μοντέλα των στοιχείων που τα συνθέτουν, καθίσταται μια αναγκαία διαδικασία. Για να εκτελεστεί με ακρίβεια η προσομοίωση θορύβου, ένα κατάλληλο φυσικό μοντέλο που μπορεί να προβλέπει με ακρίβεια την συμπεριφορά θορύβου των τρανζίστορ για ένα ευρύ φάσμα συνθηκών λειτουργίας συχνοτήτων, ρευμάτων, γεωμετριών και θερμοκρασιών είναι απαραίτητο. Βασικό αντικείμενο αυτής της εργασίας είναι η μελέτη του θορύβου σε υψηλές συχνότητες με στόχο την επιβεβαίωση του EKV3 μοντέλου. Η επιβεβαίωση αυτή έρχεται μέσα από την σύγκριση τόσο των τιμών του θορύβου όσο και των παραμέτρων του, όπως αυτές προκύπτουν από το αναλυτικό μοντέλο φορτίων, με τα αποτελέσματα της διαδικασίας προσομοίωσης θορύβου και των δοθέντων μετρήσεων για κάθε RF noise παράμετρο. Για το σκοπό αυτό, έχουμε στη διάθεση μας συγκεκριμένα πειραματικά δεδομένα θορύβου σε RF συχνότητες (6, 8, 10 GHz) για nmos τρανζίστορ τεχνολογίας 90 nm. Πραγματοποιήθηκε συνεπώς μελέτη της συμπεριφοράς του RF θορύβου με βάση το πλήρες θεωρητικό υπόβαθρο που καλύπτει το συγκεκριμένο είδος θορύβου. Αυτή η διαδικασία έλαβε χώρα λαμβάνοντας υπόψη διάφορα φυσικά φαινόμενα που χαρακτηρίζουν τα MOSFET. Από τα αποτελέσματα που προέκυψαν επιβεβαιώνουμε τη σωστή λειτουργία του ΕΚV3 μοντέλου.
  
  

  ---

  Συνημμένα:

  • Ανακοίνωση Σπανός Απόστολος.docx
    Μεταφορτώσεις: 142, Μέγεθος: 29 KB application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document

• 1