Συντάχθηκε 07-12-2011 13:06
από Eleni Stamataki
Email συντάκτη: estamataki<στο>tuc.gr
Ενημερώθηκε:
-
Ιδιότητα: σύνταξη/αποχώρηση υπάλληλος.
Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών
ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ
Τσιβίτης Απόστολος
με θέμα
“ Μελέτη θορύβου σε χαμηλές συχνότητες σε
τρανζίστορ MOS 0.35um ”
Πέμπτη 8 Δεκεμβρίου 2011, Ώρα 10:00 π.μ
Αίθουσα 2041, Κτίριο Επιστημών, Πολυτεχνειούπολη
Εξεταστική επιτροπή:
Επ. Καθ. Matthias Bucher (Επιβλέπων)
Καθ. Κωνσταντίνος Καλαϊτζάκης
Αν. Καθ. Κωνσταντίνος Μπάλας
Περίληψη
Στη σύγχρονη εποχή,το MOS τρανζίστορ αποτελεί βασικό στοιχείο των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (IC).Η CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) κυριαρχεί στη σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων γιατί συνδυάζει χαμηλό κόστος με υψηλή απόδοση. Όμως η προηγμένη CMOS τεχνολογία είναι πολυσύνθετη και παρουσιάζει έντονες παρασιτικές και short-channel επιδράσεις. Ο θόρυβος είναι ένας σημαντικός παράγοντας που περιορίζει την απόδοση ηλεκτρικών κυκλωμάτων και συστημάτων. Η σωστή πρόβλεψη θορύβου σε ολοκληρωμένα αναλογικά κυκλώματα και συστήματα, μέσω προσομοίωσης κυκλωμάτων βασισμένη σε συμπαγή (compact) μοντέλα των στοιχείων που τα συνθέτουν, καθίσταται μια αναγκαία διαδικασία.
Βασικό αντικείμενο αυτής της εργασίας είναι η μελέτη και η μοντελοποίηση του θορύβου χαμηλών συχνοτήτων των MOSFET σε τεχνολογία 0.35um CMOS. Πραγματοποιήθηκε μελέτη της συμπεριφοράς του flicker θορύβου με βάση το πλήρες θεωρητικό υπόβαθρο που καλύπτει το συγκεκριμένο είδος θορύβου. Στη συνέχεια έγινε σύγκριση με δεδομένα θορύβου χαμηλών συχνοτήτων.Κατά τη διαδικασία αυτή εξάχθηκαν οι διάφορες παράμετροι του flicker θορύβου με το καινούριο πλήρες μοντέλο θορύβου χαμηλών συχνοτήτων που ενσωματώθηκε στο EKV3 φυσικό MOSFET μοντέλο.Το μοντέλο θορύβου του EKV3 είναι αυτή τη στιγμή το πιο πλήρες φυσικό μοντέλο όσον αφορά στο θόρυβο χαμηλών συχνοτήτων στα MOSFET.
