Συντάχθηκε 13-05-2021 16:07
Ενημερώθηκε:
14-05-2021 10:46
Τόπος: Η παρουσίαση θα γίνει με τηλεδιάσκεψη
Σύνδεσμος τηλεδιάσκεψης
Έναρξη: 14/05/2021 11:00
Λήξη: 14/05/2021 12:00
ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ
Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών
Πρόγραμμα Προπτυχιακών Σπουδών
ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ
ΑΝΤΩΝΙΟΣ ΑΝΤΩΝΑΚΑΚΗΣ
θέμα
Αναλυτική Μέθοδος Προσδιορισμού Παραμέτρων και Εφαρμογή σε Προχωρημένη Τεχνολογία CMOS
Analytical Method of Parameter Determination and Application to Advanced CMOS Technology
Εξεταστική Επιτροπή
Aναπληρωτής Kαθηγητής Μπούχερ Ματτίας (Eπιβλέπων)
Kαθηγητής Καλαϊτζάκης Κωνσταντίνος
Aναπληρωτής Kαθηγητής Κανέλλος Φώτιος
Περίληψη
Στην παρούσα Διπλωματική Εργασία μελετούνται οι αναλυτικές μέθοδοι συμπαγούς μοντελοποίησης τρανζίστορ πυριτίου τύπου MOSFET μονής πύλης, καθώς και αναλυτικές μέθοδοι προσδιορισμού των παραμέτρων των μοντέλων αυτών σε προχωρημένη CMOS τεχνολογία. Η διαδικασία αυτή βασίζεται σε πειραματικές μετρήσεις που έγιναν στο Εργαστήριο Ηλεκτρονικής, σε δείγματα τριών διαφορετικών γενιών τεχνολογίας CMOS 110nm, 250nm και 1um και συμπεριλαμβάνει τρανζίστορ, τόσο τύπου ΝΜΟS, όσο και τύπου PMOS, με ιδιαίτερη έμφαση στην κάλυψη μήκους καναλιού (long, medium, short). Επιπλέον, μελετάται η απόδοση των τεχνολογιών με ενιαίο τρόπο χρησιμοποιώντας τεχνικές κανονικοποίησης των μεγεθών (ρεύμα, αγωγιμότητα), ώστε η επίδραση διαφορετικού μήκους καναλιού, να είναι εύκολα αντιληπτή. Το φαινόμενο του κορεσμού ταχύτητας (velocity saturation) έχει μια ιδιαίτερη σημασία στην παραπάνω επίδραση. Εφαρμόζονται μέθοδοι εξαγωγής παραμέτρων για κάθε τεχνολογία και κάθε μήκος καναλιού, και παρουσιάζονται με την μορφή πινάκων, με στόχο την συμπαγή μοντελοποίηση. Τέλος, υλοποιείται το μοντέλο των φορτίων του τρανζίστορ MOS με το φαινόμενο velocity saturation και παρουσιάζονται τα διαγράμματα του μοντέλου σε αντιπαράθεση με τα δεδομένα μας.
Abstract
In this Thesis we’re studying the analytical methods of compact modeling of single-gate silicon MOSFETs, as well as the analytical methods for determining the parameters of these models at advanced CMOS technology. This process is based on experimental measurements made in the Electronics Laboratory on samples of three different generations of CMOS technology 110nm, 250nm and 1um and includes transistors of both NMOS and PMOS type, with particular emphasis on channel length coverage (long, medium, short). We’re also studying the performance of technologies in a unified way, while using size normalization techniques (current, conductivity), so that the effect of different channel lengths is easily perceived. The phenomenon of velocity saturation has a special significance in this comparison. Parameter extraction methods are also applied. These methods apply in the same way to each technology and each channel length and are presented in the form of tables, with the aim of compact modeling. Finally, the charge-based model of the MOS transistor with the velocity saturation phenomenon is implemented and the diagrams are presented in contrast to our data.
Meeting ID: 97142387465
Password: 686080
