Συντάχθηκε 13-10-2020 09:12
Τόπος:
Σύνδεσμος τηλεδιάσκεψης
Έναρξη: 21/10/2020 14:00
Λήξη: 21/10/2020 15:00
ΑΝΑΚΟΙΝΩΣΗ ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗΣ Διπλωματικής
Όνοματεπώνυμο Φοιτητή: Στέφανος Κολοκοτσάς
Α.Μ.: 2014050101
Ημερομηνία Παρουσίασης: 21/10/2020
Ώρα: 14:00
Αίθουσα:
Θέμα «Ανάλυση ευαισθησίας και ενεργειακή μοντελοποίηση ενσωματωμένων φωτοβολταϊκών λεπτού υμένα σε κτίριο»
Title «Sensitivity analysis and energy modelling of integrated thin film photovoltaics on building»
Επιβλέπουσα: Διονυσία Κολοκοτσά
Τριμελής Εξεταστική Επιτροπή:
1. Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Διονυσία Κολοκοτσά
2. Καθηγητής Θεοχάρης Τσούτσος
3. Καθηγητής Μιχαήλ Λαζαρίδης
Περίληψη: Η παρούσα εργασία έχει στόχο την δημιουργία μοντέλων προσομοίωσης, για τον προσδιορισμό και ανάλυση της παραγόμενης ηλεκτρικής ενέργειας, από ενσωματωμένα φωτοβολταϊκά λεπτού υμένα σε οροφή κτιρίου.
Η αντικατάσταση κατασκευαστικών υλικών ενός κτιρίου, όπως σε προσόψεις και οροφές, με σύγχρονα φωτοβολταϊκά στοιχεία, αποτελεί μια ανερχόμενη φωτοβολταϊκή τεχνολογία. Ταυτοχρόνως, λειτουργούν ως πηγές ηλεκτρικής ενέργειας αλλά και ως υλικά κτιρίου, προσφέροντας εξοικονόμηση ηλεκτρικού ρεύματος, μείωση χρήσης ορυκτών καυσίμων και αναβάθμιση της αρχιτεκτονικής δομής του κτιρίου.
Η ολοκλήρωση του μοντέλου, πραγματοποιήθηκε μέσω του λογισμικού προγράμματος TRNSYS (Transient Systems Simulation Tool), όπου και ορίστηκαν τα τεχνικά και κατασκευαστικά χαρακτηριστικά του κτιρίου, καθώς και τα βασικά τμήματα που απαρτίζουν την εγκατάσταση ενός φωτοβολταϊκού συστήματος.
Στη συνέχεια, πραγματοποιήθηκε η ανάλυση ευαισθησίας των ενσωματωμένων φωτοβολταϊκών στοιχείων λεπτού υμένα CIGS, θέτοντας την κλίση των πλαισίων σε διαφορετικές μοίρες, με σκοπό, την μελέτη του βαθμού επιρροής και της απόδοσης του φωτοβολταϊκού συστήματος. Επιπλέον, εξετάστηκε η εφαρμογή διαφορετικού είδους φωτοβολταϊκού στοιχείου CdTe και μελετήθηκε η απόδοση της παραγόμενης ηλεκτρικής ενέργειας, αλλάζοντας και εδώ, διαδοχικά, την γωνία κλίσης του φωτοβολταϊκού πλαισίου. Από τα σενάρια που εφαρμόστηκαν για τις δύο κατηγορίες φωτοβολταϊκών στοιχείων λεπτού υμένα, επιλέχθηκαν τα πιο αποδοτικά και χρησιμοποιήθηκαν στην περαιτέρω σύγκριση τους, σχετικά με την εξοικονόμηση ηλεκτρικής ενέργειας και κοστολόγηση της συγκεκριμένης φωτοβολταϊκής τεχνολογίας, με απώτερο στόχο την εύρεση του βέλτιστου ενσωματωμένου φωτοβολταϊκού στοιχείου, με εφαρμογή σε οροφές κτιρίου.
Abstract: The present thesis, aims to create simulation models, for the determination and analysis of the generated electricity, from integrated thin film photovoltaics on the roof of a building.
Replacing the building materials of a building envelope, such as facades and roof, with modern photovoltaic elements, constitutes a rising photovoltaic technology. At the same time, building integrated photovoltaics function as sources of electricity and building materials, offering savings in electricity costs, reducing the use of fossil fuels and upgrading the architectural structure of the building.
The completion of the model was carried out through the software program of TRNSYS (Transient Systems Simulation Tool), which defined the technical and constructive characteristics of the building, as well as the basic parts that make up the installation of a photovoltaic system.
Then, a sensitivity analysis of the integrated CIGS thin-film photovoltaic panels was performed, setting the inclination of the frames at different degrees, in order to study the rate of influence and the efficiency of the photovoltaic system. In addition, the application of a different type of photovoltaic cell, CdTe was examined in order to study the efficiency of the generated electricity, modifying successively, the angle of inclination of the photovoltaic panel. From the scenarios applied for the two categories of thin film photovoltaic cells, the most efficient ones were selected and used in their further comparison, regarding the saving of electricity costs and production costs of the specific photovoltaic technology, with the ultimate goal of finding the best building integrated photovoltaic thin film solar cell technology.