Συντάχθηκε 16-01-2020 09:49
Θέμα:
Ολοκληρωμένη Μικροκυματική Μονάδα για Επικοινωνίες 5ης Γενιάς
Integrated Microwave FEM for 5G Communications
Εξεταστική Επιτροπή
Αναπληρωτής Καθηγητής Μπούχερ Ματτίας (επιβλέπων)
Καθηγητής Μπλέτσας Άγγελος
Καθηγητής Βλάσσης Σπυρίδων (Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Πατρών)
Περίληψη
Τα τελευταία μόλις χρόνια, το αρχικό ενδιαφέρον και οι συζητήσεις για ένα πιθανό πρότυπο 5G έχουν μετατραπεί σε ένα μείζον ζήτημα που έχει τραβήξει την προσοχή και τη φαντασία των ερευνητών και μηχανικών ολόκληρου του πλανήτη. Αυτή η μεταπτυχιακή εργασία έχει ως στόχο να παρουσιάσει μια ολοκληρωμένη μονάδα front-end με εφαρμογή σε πομποδέκτες για τηλεπικοινωνίες 5ης γενιάς. Το τσιπ που σχεδιάστηκε περιλαμβάνει έναν δισταδιακό ενισχυτή χαμηλού θορύβου (LNA) και έναν 5-stack ενισχυτή ισχύος (PA). Ο LNA επιτυγχάνει μέγιστο κέρδος 16.5dB και noise figure (NF) 4.01dB, ενώ ο PA επιτυγχάνει μέγιστη ισχύ εξόδου 19dBm με απόδοση 30%. Η συνολική επιφάνεια του τσιπ είναι περίπου 3.3mm2 συμπεριλαμβάνοντας τις επαφές για DC και RF.
Abstract
In just the past year, preliminary interest and discussions about a possible 5G standard have evolved into a fullfledged conversation that has captured the attention and imagination of researchers and engineers around the world. This thesis presents an integrated front end module intended for use in 5th generation communications transceivers. The chip that has been designed includes a two stage cascode common source low noise amplifier and a five stack power amplifier. The low noise amplifier achieves a maximum small signal gain of 16.5dB and noise figure of 4.01dB, while the power amplifier achieves a maximum saturated power of 19dBm and a maximum power added efficiency of 30%. The total area of the testchip is roughly 3.3mm2 including the DC and RF testpads.
Τόπος: Λ - Κτίριο Επιστημών/ΗΜΜΥ, ΑΙΘΟΥΣΑ ΣΥΝΕΔΡΙΑΣΕΩΝ
Έναρξη: 17/01/2020 10:00
Λήξη: 17/01/2020 11:00
