Συντάχθηκε 11-12-2019 08:50
Θέμα: Μελέτη τρανζίστορ επίδρασης πεδίου MOS τύπου-P με κυκλική πύλη – ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και μεταβλητότητα (Study of Enclosed Gate P-Type MOS Field Effect Transistors – Characterization and Variability)
Εξεταστική Επιτροπή
Aναπληρωτής Καθηγητής Μπούχερ Ματτίας (επιβλέπων)
Καθηγητής Μπάλας Κωνσταντίνος
Καθηγητής Έλληνας Δημοσθένης
Περίληψη:
Τα MOSFET είναι με διαφορά τα τρανζίστορ που χρησιμοποιούνται ευρέως στα ψηφιακά κυκλώματα καθώς συναντώνται κατά χιλιάδες σε δομές μικροεπεξεργαστών και μικροκυκλωμάτων μνήμης. Διαχωρίζονται ανάλογα του είδους προσμίξεων του ημιαγωγού τύπου-P και τύπου-N, με στόχο την δημιουργία συμπληρωματικών ζευγών τρανζίστορ MOS να δημιουργήσουν, στη λογική CMOS, κυκλώματα διακοπτών πολύ χαμηλής κατανάλωσης. Τα ίδια στοιχεία χρησιμοποιούνται και για αναλογικά ολοκληρωμένα ηλεκτρονικά και συνδυάζονται με τα ψηφιακά ηλεκτρονικά σε συστήματα-on-chip (systems-on-chip, SoC).
Σήμερα πολλά ολοκληρωμένα κυκλώματα έχουν σχεδιαστεί για να λειτουργούν σε περιβάλλοντα ακτινοβολίας όπως σε ιατρικές, αεροναυπηγικές, διαστημικές, πυρηνικές εφαρμογές και πειράματα φυσικής υψηλής ενέργειας. Η επίδραση όμως, της ιονίζουσας ακτινοβολίας αυτής υποβαθμίζει την απόδοση και την αξιοπιστία των κοινών MOSFET. Η ενδεδειγμένη λύση γι’ αυτές τις εφαρμογές είναι τα τρανζίστορ με κλειστή πύλη (enclosed gate transistors) λόγω της διαφορετικής γεωμετρίας και δομής που εμποδίζει τη διαρροή ρεύματος στην άκρη της ενεργής περιοχής τους. Ωστόσο, τα τρανζίστορ με κυκλικές πύλες παρουσιάζουν και περιορισμούς όπως το αυξημένο εμβαδόν ή η περιοσμένη ευελιξία στην επιλογή γεωμετριών.
Σε αυτή τη διπλωματική μελετώνται τα τρανζίστορ κλειστής πύλης επίδρασης πεδίου MOS τύπου -P με κυκλική πύλη. Πιο συγκεκριμένα παρουσιάζεται μια στατιστική μελέτη στα αποτελέσματα των ηλεκτρικών παραμέτρων (τάση κατωφλίου, κινητικότητα, ο συντελεστής κλήσης, διαγωγιμότητα, σχέση τάσης-ρεύματος) για εφτά διαφορετικές γεωμετρίες των συγκεκριμένων MOSFETS σε γραμμική λειτουργία αλλά και σε λειτουργία κορεσμού. Ακόμα υλοποιείται μια εκτενή μελέτη όσον αφορά το ταίριασμα των τριών βασικών παραμέτρων (τάση κατωφλίου, κινητικότητα, συντελεστής κλήσης) εξάγοντας χρήσιμα συμπεράσματα ως προς τη μεταβλητότητα τους.
Abstract
A MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) is by far the most common transistor in digital circuits, as hundreds of thousands or millions of them may be included in a memory chip or microprocessor. Since they can be made with either p-type or n-type doped semiconductors, complementary pairs of MOS transistors can be used to make switching circuits with very low power consumption, in the form of CMOS (complementary metal oxide semiconductor) logic. The same transistors are used to implement analog circuitry, co-integrated with the digital circuits, to form systems-on-chip (SoCs).
Nowadays many integrated circuits are designed to operate in radiation environments such as aircraft, medical, space, nuclear applications and high energy physical experiments. Radiation total ionizing dose effects (TID) degrade the performance and reliability of MOSFETs, giving rise to positive charge trapping at the edges of shallow trench isolation (STI) corners, resulting to the formation of leakage current paths from drain to source diffusions.
The use of transistors with enclosed gate layouts is the proposed solution for applications in radiation environments since due to their geometry and the absence of STI corners, leakage current paths along the edge of the active area are suppressed. However, enclosed gate MOS devices present drawbacks like: increased area and limitations in the choice of the W/L ratio that should be taken into consideration.
In this thesis we study enclosed gate (circular) P-type MOSFETs. Specifically, we present a statistical analysis to the results of the electrical parameters (threshold voltage, electron mobility, slope factor, transconductance, voltage-current dependence) for seven different geometries of those specific MOSFETs in linear mode as well as saturation mode. Also, a detailed study of the three basic parameters (threshold voltage, mobility, slope factor) is implemented, leading to useful conclusions regarding their variability.
Τόπος: Λ - Κτίριο Επιστημών/ΗΜΜΥ, 145Π-42
Έναρξη: 13/12/2019 14:00
Λήξη: 13/12/2019 15:00
