Συντάχθηκε 30-08-2016 13:44
από Esthir Gelasaki
Email συντάκτη: egelasaki<στο>tuc.gr
Ενημερώθηκε:
-
Ιδιότητα: υπάλληλος.
ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ
Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών
Πρόγραμμα Προπτυχιακών Σπουδών
ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ
ΑΡΙΣΤΕΙΔΗ ΝΙΚΟΛΑΟΥ
με θέμα
Στατιστική Μελέτη Θορύβου Χαμηλής Συχνότητας σε Enclosed Gate MOSFETs Statistical Analysis of Low Frequency Noise in Enclosed Gate MOSFETs
Εξεταστική Επιτροπή
Αναπληρωτής Καθηγητής Matthias Bucher (επιβλέπων)
Καθηγητής Κώστας Μπάλας
Καθηγητής Κωνσταντίνος Καλαϊτζάκης
Περίληψη
Η τεχνολογία CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor technology), συνεχίζει να αποτελεί κυρίαρχη επιλογή για την κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (ICs), προσφέροντας πλεονεκτήματα όπως: αξιοπιστία, χαμηλή κατανάλωση ισχύος, χαμηλό κόστος, και υψηλό επίπεδο ολοκλήρωσης. Ο νόμος του Moore, ο οποίος προέβλεπε ότι ο αριθμός των διατάξεων σε ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα θα διπλασιαζόταν κάθε 18 με 24 μήνες, επιβεβαιώθηκε πλήρως και στη περίπτωση της CMOS τεχνολογίας με την ραγδαία μείωση του μήκους καναλιού των MOSFETs. Η επέκταση της χρήσης ολοκληρωμένων κυκλωμάτων σε συνθήκες ακτινοβολίας όπως: διαστημικές, ιατρικές, αεροπορικές, πυρηνικές εφαρμογές καθώς και πειράματα φυσικής υψηλής ενέργειας, καθιστά αναγκαία την εύρεση λύσεων για των περιορισμό των επιπτώσεων της ακτινοβολίας στην ορθή λειτουργία αυτών. Επιπροσθέτως, η απόδοση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων όπως: αισθητήρες απεικόνισης CMOS (CMOS image sensors) αλλά και ταλαντωτές τάσης (VCOs), ειδικά σε προχωρημένες νανοτεχνολογίες (UDSM), επηρεάζεται σημαντικά απο την παρουσία του θορύβου χαμηλής συχνότητας (LFN). Τα δύο είδη θορύβου που συνεισφέρουν στην δημιουργία αυτού, είναι ο θόρυβος τυχαίων τηλεγραφικών σημάτων (RTS) και ο 1/f ή flicker θόρυβος. Η χρήση MOS διατάξεων πέραν των συμβατικών, όπως τα enclosed gate MOSFETs, αποτελεί ικανή λύση τόσο για τον περιορισμό φαινομένων ρευμάτων διαρροής που προκύπτουν λόγω έκθεσης σε ακτινοβολία όσο και για την μείωση της διασποράς του θορύβου χαμηλής συχνότητας, ειδικά σε MOSFETs μικρότερης επιφάνειας όπου ο RTS θόρυβος επικρατεί. Στα πλαίσια της παρούσας διπλωματικής εργασίας, μια πλήρη στατιστική μελέτη της συμπεριφοράς του θορύβου χαμηλής συχνότητας σε enclosed gate MOSFETs, τεχνολογίας CMOS 180nm, υλοποιήθηκε για πρώτη φορά. Τα enclosed gate NMOSFETs παρουσιάζουν υψηλότερη διασπορά θορύβου σε αντίθεση με τα enclosed gate PMOSFETs αλλά χαμηλότερο επίπεδο θορύβου όπως ακριβώς συμβαίνει και στις συμβατικές διατάξεις. Στην περίπτωση των enclosed gate PMOSFETs, σε ασθενή αναστροφή και για υψηλές τάσης υποδοχής παρατηρείται σημαντικά μειωμένο επίπεδο θορύβου το οποίο ταυτόχρονα ακολουθείται και από μειωμένη διασπορά.
Τόπος: Λ - Κτίριο Επιστημών/ΗΜΜΥ, 2041
Έναρξη: 01/09/2016 12:00
Λήξη: 01/09/2016 13:00
