Συντάχθηκε 16-12-2015 15:15
από Vasiliki Grigoraki
Email συντάκτη: vgrigoraki<στο>tuc.gr
Ενημερώθηκε:
-
Κύρια: υπάλληλος ΗΜΜΥ.
Άλλες ιδιότητες: Unknown -#-@ΗΜΜΥ
ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ
Σχολή Ηλεκτρονικών Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών
Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών
ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ
ΓΥΡΟΥΚΗ ΓΕΩΡΓΙΟΥ
με θέμα
ΣΥΜΠΑΓΗ ΜΟΝΤΕΛΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΠΟΛΛΑΠΛΩΝ ΠΥΛΩΝ
ΓΙΑ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ
COMPACT MODELLING OF MULTI-GATE MOSFETs
FOR ANALOG DESIGN
Εξεταστική Επιτροπή
Αναπληρωτής Καθηγητής Matthias Bucher (Επιβλέπων)
Καθηγητής Κωνσταντίνος Μπάλας
Καθηγητής Κωνσταντίνος Καλαϊτζάκης
Περίληψη
Τα τελευταία χρόνια, η ραγδαία ανάπτυξη της τεχνολογίας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, οδήγησε στην ανάγκη για μείωση του μήκους της πύλης του τρανζίστορ MOS, γεγονός που εισάγει την επίπτωση των φαινομένων κοντού καναλιού. Τα τρανζίστορ πολλαπλών πυλών παρουσιάζονται να είναι οι πιο ελπιδοφόρες διατάξεις για αντιμετώπιση του γεγονότος αυτού. Βασικός στόχος της παρούσας μεταπτυχιακής διατριβής είναι η ανάπτυξη συμπαγών μοντέλων στα οποία θα περιέχονται εξισώσεις για το ρεύμα απαγωγού, τις διαχωρητικότητες, και του θορύβου των τρανζίστορ πολλαπλών πυλών και πιο συγκεκριμένα ενός τρανζίστορ FinFET που υπό ορισμένες συνθήκες μπορεί να αντιμετωπιστεί ως ένα τρανζίστορ διπλής πύλης (double-gate MOSFET). Στα πλαίσια της παρούσας μεταπτυχιακής εργασίας μελετάται η σχέση που συνδέει τα φορτία που εμφανίζονται στην διάταξη με το δυναμικό που εφαρμόζεται στους ακροδέκτες αυτής. Παρουσιάζονται δύο τρόποι προσέγγισης της σχέσης αυτής και τα σφάλματα που η κάθε μία εισάγει στην μοντελοποίηση. Επίσης στην παρούσα διατριβή μελετάται η εξάρτηση της ηλεκτρικής συμπεριφοράς των νάνο-τρανζίστορ ως προς τη φυσική σχεδίαση (layout) της διάταξης. Πέρα από τις εξαρτήσεις της διάταξης από τα μεγέθη μήκος, πλάτος (και ύψος διαύλου σε FinFET τρανζίστορ), και αριθμός δακτυλίων (fingers) υπάρχει και σημαντική εξάρτηση ως προς τις αποστάσεις από μονωτικές περιοχές, την ύπαρξη dummy (ψεύδο-τρανζίστορ) κλπ. καθώς και η ανάπτυξη κατάλληλων υποκυκλωμάτων τα οποία θα αντιπροσωπεύσουν στις στατιστικές διακυμάνσεις – τόσο σε επίπεδο τεχνολογίας (process) όσο και σε επίπεδο ταιριάσματος στοιχείο-προς-στοιχείο (device-to-device matching) – συναρτήσει των γεωμετρικών δεδομένων (layout dependence). Τέλος, περιγράφεται και η συμπεριφορά του θορύβου των τρανζίστορ, ιδίως όσων αφορά στο θερμικό θόρυβο. Τελικό αποτέλεσμα της όλης μεταπτυχιακής αυτής διατριβής είναι η παράθεση ενός Verilog-Α κώδικα για την προσομοίωση κυκλωμάτων νάνο-τρανζίστορ πολλαπλών πυλών.
Τόπος: Λ - Κτίριο Επιστημών/ΗΜΜΥ, 137Β-73, Αίθουσα Εκπαιδευτικών Εργαστηριακών Ασκήσεων, Εργαστήριο Ηλεκτρονικής
Έναρξη: 18/12/2015 11:00
Λήξη: 18/12/2015 12:00
